日本ROHM首次实现1700V SiC功率模块商业化,在极端环境下具有高可靠性

  近日,日本功率半导体制造商ROHM公司宣布开发出额定功率为1700V / 250A的SiC功率模块,该功率模块?#21830;?#20379;业界最高水平的可靠性,针对室外发电系统和工业高功?#23454;?#28304;等领域应用的逆变器和转换器应用了进行优化。

  

 

  产品意义

  近年来,由于其节能优势,SiC在电动汽车(EV)和工业设备等1200V应用中得到了越来越多的应用。功率密度更高的趋势导致更高的系?#36710;?#21387;,增加了对1700V产品的需求。然而,当前的器件难以实现所需的可靠性,因此硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)通常优选用于1700V应用。

  为此,ROHM能够在1700V时实现高可靠性,同时保?#21046;?200V SiC产品的节能性能,实现了所谓的1700V级SiC功率模块的首次商业化。

  

 

  产品性能

  新型BSM250D17P2E004产品引入了一?#20013;?#30340;封装方法和涂层材料,以保护芯片免受介电击穿,并抑制漏电流的增加,使模块能够通过HV-H3TRB可靠性测试。例如,在这种高压、高温、高湿度反向偏压测试期间,当在85°C和85%湿度?#29575;?#21152;1360V超过1000小时时,器件没有出现故障,不同于传统IGBT模块,通常在1000小时以内因电介质击穿而导?#29575;?#25928;。为确保最高水平的可靠性,ROHM以不同的间隔测试了模块的漏电流,最高阻断电压为1700V。

  

 

  将ROHM经过验证的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET)和SiC肖特基?#35780;?#20108;极管(SBD)整?#31995;?#21516;一模块中并优化内部结构,可使其导通电阻比其他同等级SiC产品低10%。ROHM表示,这可以在任何应用中实现更好的节能和减少散热。

  未来工作

  展望未来,ROHM的目标是继续扩大其产品阵容,同时提供评估板,以便轻松测试和验证其SiC模块。

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