三菱电机开始发售功率半导体「1200V SiC-SBD」

  为降低电源?#20302;车?#32791;电量、缩小其体积做出贡献

  开始发售功率半导体「1200V SiC-SBD」

  近日,三菱电机株式会社发布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二极管),该产品有利于降低太阳能发电?#20302;場V充电器等?#20302;车?#25439;耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日~19日于日本幕张举行), “PCIM Europe2019展”(5月7~9日于德国纽伦堡举行), “PCIM※1 Asia2019展”(6月26~28日于中华人民共和国上海举行)上展出。

  ※1 Silicon Carbide:碳化硅

  ※2 Schottky Barrier Diode:肖特基?#35780;?#20108;极管

  

 

  新产品的特点

  1.通过采用SiC,有利于降低?#20302;?#25439;耗和体积

  ?通过使用SiC大幅降低开关损耗,降低约21%的电力损耗※3

  ?实现高速开关,有利于缩小电抗器等配套零部件的体积

  ※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比

  2.通过采用JBS结构,提高可靠性

  ?采用pn结与肖特基结相结?#31995;腏BS※4结构

  ?通过JBS结构提高浪涌电流耐量,从而提高可靠性

  ※4 Junction Barrier Schottky

  3.由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途

  ?除了通常的TO-247封装外,还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装

  除民用品外还可对应工业等各种各样的用途

  ?产品阵容中还包括符合AEC-Q101※5的产品(BD20120SJ),?#37096;?#23545;应车载用途

  ※5 Automotive Electronics Council:车载电子零部件质量规格

  发售概要

  

 

  销售目标

  近年来,出于节能环保的考虑,人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调?#32422;?#24037;业机械、铁路车辆的逆变器?#20302;车齲?#20026;降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。

  在这一背景下,此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源?#20302;?#20013;应用“SiC-SBD”,将为降低客户的?#20302;?#32791;电量,缩小体积做出贡献。

  本产品的开发得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

  ※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界?#25239;去楗螗弗攻?/p>

  主要规格

  

 

  ※7 8.3msec, sine wave

  SiC-SBD系列的产品阵容

  

 

  粗框内为本次的新产品。

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